MT40A512M8RH-075E:B TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 8的存储单元组织。该器件基于DDR4技术，运行时钟频率为1.33GHz，可实现高达2666 MT/s的数据传输速率，显著提升了系统的数据吞吐能力。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在提供高性能的同时有效控制了功耗。芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，并以卷带形式供货，适用于自动化生产线。其宽工作温度范围（0°C 至 95°C TC）确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性，主要面向网络通信、嵌入式计算等对内存性能和能效有较高要求的应用领域。
- 型号:MT40A512M8RH-075E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.33 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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