MT40A512M16LY-062E:E是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 16的并行架构。该器件基于先进的DDR4技术，运行时钟频率达到1.6GHz，可实现高达3200 MT/s的数据传输速率，为系统提供卓越的内存带宽，满足高性能计算应用的严苛需求。
其核心优势在于高性能与能效的平衡。工作电压范围为1.14V至1.26V，在提供高速数据访问的同时，有效降低了功耗。器件采用96-TFBGA表面贴装封装，支持0°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在各类商业及工业环境下的稳定性和可靠性，适用于对尺寸、功耗和性能均有要求的嵌入式及服务器系统。
- 型号:MT40A512M16LY-062E:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（7.5x13.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（7.5x13.5）
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