MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用并行接口和MLC技术。该器件以卷带形式提供，采用152-ball TBGA表面贴装封装，工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统。

其核心卖点在于高达167MHz的时钟频率，结合并联架构，可实现高速数据读写，满足高带宽应用需求。同时，其0°C至70°C的商业工作温度范围确保了在常见环境下的稳定运行。这款大容量非易失性存储器适用于对存储性能和容量有较高要求的嵌入式设计。

• 制造商产品型号：MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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