MT40A512M16JY-083E AIT:B TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 16位并联接口。该器件基于DDR4技术标准，核心工作电压为1.2V（1.14V~1.26V），支持高达1.2GHz（2400 MT/s）的数据速率，能够为系统提供高带宽的内存访问能力。
该芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，支持卷带（TR）包装以适应自动化生产。其设计强调了能效与可靠性，工作温度范围覆盖-40°C至95°C（TC），确保在扩展商业及工业温度环境下的稳定运行。这些特性使其成为网络通信、数据中心及高性能嵌入式系统等应用的理想内存解决方案。
- 型号:MT40A512M16JY-083E AIT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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