M29W128GL70ZS3E是美光科技生产的一款128Mb（16M x 8 / 8M x 16）并行NOR闪存芯片，采用64-LBGA封装。该器件提供70ns的快速访问时间和写周期时间，支持即时代码执行，并能在2.7V至3.6V的宽电压及-40°C至125°C的扩展工业温度范围内稳定工作。
其非易失性存储特性和并联接口设计，确保了数据在断电情况下的安全性与系统连接的高速性。这些特性使其成为对可靠性、实时性和环境适应性有严苛要求的工业控制、汽车电子及嵌入式系统的理想存储解决方案。
- 型号:M29W128GL70ZS3E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-FBGA（11x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8，8M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-LBGA
- 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
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