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MT36HTS51272FY-53EA3E3

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商：美光(MICRON)
功能简述：MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
原厂封装：240-FBDIMM
优势价格，MT36HTS51272FY-53EA3E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT36HTS51272FY-53EA3E3的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT36HTS51272FY-53EA3E3是美光科技推出的一款4GB容量DDR2 SDRAM全缓冲内存模块。该模块采用240针FBDIMM封装，运行速度为533MT/s，专为追求高可靠性与大内存扩展能力的企业级计算平台设计。

其核心卖点在于集成了高级内存缓冲器（AMB），通过串行链路与内存控制器通信，显著提升了信号完整性和单通道的DIMM负载能力。模块支持ECC错误校验与纠正功能，确保了数据在苛刻的服务器环境中的高度完整性，是构建稳定数据中心和高效能服务器的关键组件。

  • Micron美光半导体完整型号: MT36HTS51272FY-53EA3E3
  • 制造商：Micron Technology（美光科技）
  • 功能总体简述: MODULE DDR2 4GB 240FBDIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR2 SDRAM
  • 存储容量: 4GB
  • 速度: 533MT/s
  • 封装/外壳: 240-FBDIMM
  • 想获取MT36HTS51272FY-53EA3E3的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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