MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR是Micron Technology（美光科技）推出的一款集成4Gb NAND Flash和4Gb LPDDR2 DRAM的混合存储器芯片。该器件采用多芯片封装技术，将非易失性存储与高速易失性内存结合，通过单一的并联接口提供高效的存储解决方案。
其核心优势在于结合了NAND Flash的大容量、非易失特性与LPDDR2 DRAM的高速度（时钟频率达533MHz）和低功耗特性。工作电压为1.8V，工作温度范围为-25°C至85°C，适用于对性能、功耗和可靠性有较高要求的嵌入式环境。这款芯片为设计人员提供了简化PCB布局、节省空间并优化系统存储架构的途径。
- 型号:MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:-
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 533MHZ
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:256M x 16（NAND），128M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:-
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