MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR是Micron Technology生产的一款多芯片封装存储器，在一个162-VFBGA封装内集成了4Gb NAND闪存和2Gb LPDDR2 DRAM。这种集成设计提供了非易失性存储与高速易失性内存的组合，有效节省了PCB空间并优化了系统架构。
该器件核心卖点在于其高集成度与性能平衡。NAND闪存部分提供大容量数据存储，而LPDDR2 DRAM运行频率达533MHz，为实时数据处理提供了必要的高速缓存。其1.8V的工作电压有助于降低系统功耗，并且支持-40°C至85°C的工业级温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，适用于对尺寸和鲁棒性有严苛要求的嵌入式应用。
- 型号:MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:128M x 32（NAND），64M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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