MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR是美光科技的一款集成式存储解决方案，在一个121-VFBGA封装内融合了1Gb NAND Flash和512Mb LPDDR2 DRAM。这种混合架构旨在通过硬件集成优化系统性能与功耗，其中NAND Flash提供非易失性数据存储，而LPDDR2部分则提供高速的易失性工作内存。
该器件采用并联接口，LPDDR2 DRAM支持高达533MHz的时钟频率，确保了快速的数据访问能力。其工作电压为1.8V，工作温度范围为-25°C至85°C，符合工业级应用的环境要求。这款芯片主要面向需要兼顾数据持久化存储与高速运行内存的嵌入式系统设计，能够有效简化PCB布局并降低整体BOM复杂度。
- 型号:MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:121-VFBGA（8x7.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 1GBIT PAR 121VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:1Gb（NAND），512Mb（LPDDR2）
- 存储器组织:128M x 8（NAND），32M x 16（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:121-WFBGA
- 供应商器件封装:121-VFBGA（8x7.5）
- 想获取MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
