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MICRON
MT29F8T08GULBEM4:B TR的图片

MT29F8T08GULBEM4:B TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:QLC 8T 1TX8 LBGA 8DP
原厂封装:产品封装:-
优势价格,MT29F8T08GULBEM4:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F8T08GULBEM4:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F8T08GULBEM4:B TR是美光科技生产的一款采用QLC(四层单元)NAND技术的闪存芯片,提供1Tb(128GB)的高存储容量。该芯片采用8位并行接口(x8)和LBGA封装,并以卷带形式供货,专为自动化表面贴装工艺优化,适用于大规模生产。

其核心价值在于通过QLC技术实现了极高的存储密度,显著降低了每GB成本,为海量数据存储应用提供了经济高效的解决方案。芯片设计侧重于优化顺序读取性能和可靠性,内置管理功能以保障数据完整性,主要面向对容量需求远超写入耐久性要求的应用场景。

  • 制造商产品型号:MT29F8T08GULBEM4:B TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:QLC 8T 1TX8 LBGA 8DP
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:-
  • 存储器格式:-
  • 技术:-
  • 存储容量:-
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 产品封装:-
  • 想获取MT29F8T08GULBEM4:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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