MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR

MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR是美光科技推出的一款768Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口。其核心组织为96G x 8，提供了高密度数据存储解决方案。

该器件支持267MHz时钟频率，工作电压范围为2.7V至3.6V，确保了高速数据访问与系统电源兼容性。其非易失性特性保障了数据持久性，商业级工作温度范围（0°C至70°C）和132-VBGA表面贴装封装，则使其易于集成并满足主流应用的环境可靠性要求。

• 制造商产品型号：MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：768Gb（96G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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