MT40A2G4SA-062E:E TR

MT40A2G4SA-062E:E TR是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用78-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR4技术，时钟频率达1.6GHz，可实现高达3200 MT/s的数据传输速率，为系统提供卓越的内存带宽。

其核心配置为2G x 4的并行架构，工作电压范围1.14V~1.26V，在提升性能的同时显著优化了功耗。芯片支持宽温工作（0°C至95°C TC），并集成了一系列用于提升信号完整性和时序可控性的高级功能，确保在高速运行下的数据可靠性。这款有源状态的卷带包装器件，专为满足现代数据中心、企业服务器及高性能网络设备对高速、高密度、低功耗内存解决方案的需求而设计。

• 型号:MT40A2G4SA-062E:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（7.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11）
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