MT29F64G08CECCBH1-12:C TR

MT29F64G08CECCBH1-12:C TR是美光科技生产的一款64Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和100-VBGA封装。它提供8G x 8的组织结构，在2.7V至3.6V电压下工作，时钟频率可达83MHz，支持高速数据存取。

作为非易失性存储器，该芯片适用于需要稳定、大容量数据存储的场合。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）使其适合消费电子和工业嵌入式应用。该产品已停产，主要服务于现有设计维护与延续性生产需求。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CECCBH1-12:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：83MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：100-VBGA
• 想获取MT29F64G08CECCBH1-12:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料