MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR是美光科技推出的一款64Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用异步ONFI接口，时钟频率最高可达166MHz，提供了高效的数据传输带宽。其核心组织架构为8G x 8位，工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级宽温操作，确保了在恶劣环境下的数据存储可靠性。
芯片采用132-VBGA表面贴装封装，以卷带形式供货，便于自动化生产。作为一款非易失性存储器，它适用于需要大容量、稳定数据存储且对工作温度范围有严格要求的应用场景，为嵌入式系统设计提供了高密度的存储解决方案。
- 型号:MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
