M25P40-VMW6TGB TR 是美光科技推出的一款 4Mb 容量串行 NOR 闪存芯片。该器件采用标准的 SPI 接口，时钟频率最高可达 75MHz，实现了高速数据读取，其宽电压供电范围（2.3V-3.6V）与工业级温度范围（-40°C 至 85°C）确保了在复杂环境下的稳定运行。
芯片提供 512K x 8 位的存储结构，支持以页和扇区为单位的编程与擦除操作，典型页编程时间为 5ms。它具备优异的耐久性（超过 10 万次擦写周期）与数据保持能力（超过 20 年），并通过硬件和软件写保护功能保障数据安全。其 8-SOIC 表面贴装封装适用于空间受限的嵌入式设计。
- 型号:M25P40-VMW6TGB TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT SPI 75MHZ 8SO W
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8
- 存储器接口:SPI
- 时钟频率:75 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ms，5ms
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.3V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.209，5.30mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SO
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