MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR是美光科技生产的一款64Gb（8G x 8）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片，封装形式为152-VBGA。该器件基于非易失性闪存技术，可在2.7V至3.6V的电压范围内工作，其核心优势在于通过并行接口架构支持高达83MHz的时钟频率，旨在提供较高的数据传输带宽。
其8GB的大存储容量和0°C至70°C的商业级工作温度范围，使其适合用于需要本地大容量、快速数据存取的各种嵌入式系统和存储设备中，作为主要或辅助存储介质。
- 型号:MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-VBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 152VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-VBGA
- 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
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