MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR

MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR是美光科技生产的一款512Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用TLC（3位每单元）闪存技术，在紧凑的132-VBGA封装内集成了64G x 8位的高密度存储阵列，为非易失性大容量数据存储需求提供了核心硬件支持。

其工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V系统电源，并支持0°C至70°C的商业温度范围，确保了广泛的适用性。芯片采用表面贴装设计并以卷带形式包装，适用于自动化高效生产。这款芯片主要针对需要高密度、可靠存储的嵌入式系统、数据中心存储及工业应用。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBLCEJ4-R:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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