MT44K16M36RB-093E:B

MT44K16M36RB-093E:B 是美光科技生产的一款576Mb容量并行接口DRAM，采用DDR3L技术。该器件组织架构为16M x 36位，核心电压工作范围1.28V~1.42V，在实现低功耗运行的同时，其数据速率可达2133 MT/s（对应1067MHz时钟频率），访问时间为8ns，能够提供高带宽和低延迟的数据存取性能。

芯片采用168-TBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于要求严苛的嵌入式环境。其主要面向需要高速数据缓冲和处理的网络设备、工业控制系统及高性能嵌入式平台，是一款兼顾性能、功耗与可靠性的易失性存储器解决方案。

• 型号:MT44K16M36RB-093E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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