MT46V64M8CY-5B AIT:J TR 是一款由美光科技制造的512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 8位的存储结构。该器件基于并联接口，时钟频率为200MHz，结合DDR技术可实现高达400MT/s的有效数据传输速率，其700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间保证了高速的数据处理能力。
该芯片工作电压范围为2.5V至2.7V，采用60-TFBGA表面贴装封装，并以卷带形式提供，适合自动化生产。其关键特性在于支持-40°C至85°C的宽工作温度范围，这使其能够稳定运行于工业控制、汽车电子及户外通信设备等环境条件较为严苛的应用中，是一款兼顾高性能与高可靠性的易失性存储器解决方案。
- 型号:MT46V64M8CY-5B AIT:J TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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