MT29F512G08CMEABH7-12:A TR是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和152-TBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术，在2.7V至3.6V电压范围内工作，时钟频率最高可达83MHz，支持高速数据读写操作。
其核心特性包括64G x 8的存储结构、0°C至70°C的商业级工作温度范围以及表面贴装形式，适用于对存储密度和传输速率有要求的应用。该芯片以卷带形式提供，便于自动化生产。作为一款已停产器件，它代表了特定技术节点下的大容量存储解决方案，适用于既有系统的维护与延续性设计。
- 型号:MT29F512G08CMEABH7-12:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
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