MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR是美光科技生产的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心卖点在于高达200MHz的时钟频率和2.7V~3.6V的宽电压供电，这为需要高速数据读写和稳定电源兼容性的应用提供了硬件基础。
该器件属于非易失性存储器，工作温度范围为0°C至70°C，采用表面贴装形式，适合自动化生产。其64G x 8位的存储结构与并联接口相结合，旨在优化大容量数据块的传输效率，满足现代数据中心、企业存储及高端嵌入式系统对存储密度和性能的持续增长需求。
- 型号:MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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