MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR

MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR是美光科技推出的一款2Tb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用闪存技术，提供非易失性数据存储，其内部组织为256G x 8位，为核心系统提供了海量的数据存储空间。

该芯片的核心优势在于其高达333MHz时钟频率的并行接口，能够实现高速数据传输，满足数据密集型应用的带宽需求。其工作电压范围为2.5V至3.6V，采用272-ball TBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，确保了在各类商业电子设备中的兼容性与可靠性。

• 制造商产品型号：MT29F2T08CQHBBG2-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 272TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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