MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR是美光科技推出的一款有源、大容量并行NAND闪存芯片。该器件提供高达4Tb（512G x 8）的非易失性存储容量，采用并联接口并以267MHz的高时钟频率运行，旨在满足对数据吞吐率有极高要求的应用场景。

其工作电压范围为2.7V至3.6V，操作温度覆盖0°C至70°C（TA），确保了在广泛环境下的兼容性与稳定性。作为一款采用卷带（TR）包装的闪存解决方案，它为核心存储系统提供了高密度、高性能的关键组件支持。

• 制造商产品型号：MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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