MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR

MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR是美光科技生产的一款4Tb（512GB）大容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用先进的3D TLC NAND闪存技术，以非易失性方式存储数据，核心组织架构为512G x 8位，提供了极高的存储密度。

其工作电压范围为1.7V至1.95V，在0°C至70°C的环境温度下可稳定运行，具有良好的能效和环境适应性。作为卷带（TR）包装的有源器件，它专为需要海量、可靠数据存储且对数据传输带宽有较高要求的应用而设计，是企业级存储和高端嵌入式系统的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F4T08EUHBFM4-T:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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