MT29F4G16ABAEAH4-IT:E是美光科技生产的一款4Gb容量NAND闪存芯片。它采用16位宽并行接口,提供较高的数据吞吐率,其存储结构组织为256M x 16位,适用于需要快速存取大容量数据的嵌入式系统。
该器件工作电压为2.7V至3.6V,采用63-VFBGA表面贴装封装,并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围,确保了在恶劣环境下的稳定运行。其非易失性存储特性使其成为工业控制、网络设备和汽车电子等领域中固件与数据存储的可靠解决方案。
- 型号:MT29F4G16ABAEAH4-IT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- 想获取MT29F4G16ABAEAH4-IT:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料