MT29F4G08BABWP TR是美光科技生产的一款4Gb（512M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和48-TFSOP表面贴装封装。该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后不丢失，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围增强了系统电源兼容性。
其核心参数配置使其适合于需要大容量、稳定数据存储的嵌入式应用。0°C至70°C的工作温度范围覆盖了主流商业应用环境。作为已停产器件，它代表了经过市场验证的成熟存储解决方案，适用于现有系统的维护与特定延续性项目。
- 型号:MT29F4G08BABWP TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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