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MICRON
MT29F4G08ABBFAM70A3WC1的图片

MT29F4G08ABBFAM70A3WC1

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL DIE
原厂封装:封装:模具
优势价格,MT29F4G08ABBFAM70A3WC1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F4G08ABBFAM70A3WC1的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F4G08ABBFAM70A3WC1是美光科技生产的一款4Gb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用SLC(单层单元)技术,提供卓越的数据可靠性和耐久性,其512M x 8位的组织结构便于系统进行高效的字节级数据管理。

该器件支持1.7V至1.95V的工作电压,适用于低功耗设计,其0°C至70°C的标准工业温度范围确保了在常见商业及工业环境中的稳定运行。模具形式的表面贴装封装使其成为空间受限或需要高度集成解决方案应用的理想选择。

  • 型号:MT29F4G08ABBFAM70A3WC1
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:模具
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL DIE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:模具
  • 供应商器件封装:模具
  • 想获取MT29F4G08ABBFAM70A3WC1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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