MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR

MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR是美光科技推出的一款256Gb NAND闪存芯片，采用并联接口与3D NAND技术，提供32G x 8位的高密度存储结构。其工作电压为2.5V至3.6V，支持333MHz时钟频率，确保高速数据访问，同时非易失特性保障了数据的持久保存。

芯片采用132-VBGA表面贴装封装，适用于0°C至70°C的工业温度环境，兼顾紧凑设计与可靠集成。卷带包装便于自动化生产，主要面向需要大容量、高性能存储的应用，如企业级存储、嵌入式系统及数据中心设备。

• 制造商产品型号：MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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