MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量NAND闪存芯片，采用512M x 8位的并行接口架构。该器件提供高速的数据传输能力，并支持2.7V至3.6V的宽电压供电，增强了系统设计的电源适应性。
其关键特性在于工业级的工作温度范围（-40°C至85°C）与48-TSOP表面贴装封装，确保了在恶劣环境下的可靠运行与易于生产集成。这些参数使其成为工业控制、汽车电子及网络通信设备等需要稳定、大容量非易失性存储应用的理想解决方案。
- 型号:MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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