MT29F4G08ABADAH4:D是一款由美光科技制造的4Gb（512M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后仍可保持，其2.7V至3.6V的宽工作电压范围确保了与标准3.3V系统的良好兼容性。
该芯片的核心卖点在于其4Gb的高存储密度与稳定的并行数据传输接口，能够满足嵌入式系统对大容量固件和数据存储的需求。其工作温度范围为0°C至70°C，采用表面贴装形式，适用于要求紧凑设计和可靠性的商业及工业应用环境。
- 型号:MT29F4G08ABADAH4:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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