MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR是美光科技推出的一款3Tb大容量NAND闪存芯片。该器件采用并联接口，支持高达267MHz的时钟频率，能够实现高速数据读写操作，满足对带宽要求严苛的应用场景。

其核心优势在于结合了巨大的存储空间（384G x 8结构）与可靠的性能。工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持0°C至70°C的商业级工作温度，确保了在广泛系统环境中的兼容性与稳定性。这款非易失性存储器是构建高性能、高密度存储系统的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：3Tb（384G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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