MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR

MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR是美光科技推出的一款512Gb容量NAND闪存芯片。它采用TLC（三层单元）技术和并联接口，以64G x 8位的架构组织数据，提供了高密度、非易失的数据存储解决方案。

该器件工作电压为2.7V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。其核心优势在于将大容量存储与标准的并行接口相结合，支持高速数据读写，主要面向固态硬盘、嵌入式系统及其他需要大容量本地存储的设备。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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