MT47H256M8EB-187E:C TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM存储器。该芯片采用256M x 8位的组织架构，通过并联接口与控制器通信，其核心工作电压范围为1.7V至1.9V，在提供稳定运行的同时优化了能效。
器件支持高达533MHz的时钟频率，实现1066 MT/s的数据传输速率，配合350ps的访问时间，能够满足对数据吞吐量和响应速度有较高要求的应用。其采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于广泛的商业及工业嵌入式系统环境。
- 型号:MT47H256M8EB-187E:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:350 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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