MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR

MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR是美光科技生产的一款3Tb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和272-TBGA封装。其核心卖点在于结合了高密度存储与高性能访问，267MHz的时钟频率配合并行架构，可提供高速的数据传输能力，满足对带宽要求严格的应用场景。

该器件工作电压为2.7V至3.6V，支持0°C至70°C的工业温度范围，确保了在多样化的环境下的供电兼容性与运行稳定性。其3Tb（384G x 8）的大容量特性，使其成为企业存储、数据中心及高性能嵌入式系统中构建大容量非易失性存储方案的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 272TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：3Tb（384G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
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