MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR

MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR 是美光科技生产的一款384Gb（48GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口。其核心卖点在于结合了高存储密度与高数据传输速率，时钟频率可达333MHz，能够满足高速数据读写的应用需求。

该芯片工作电压为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，支持0°C至70°C的工业温度范围，确保了在广泛环境下的可靠性与稳定性。作为非易失性存储器，它适用于需要大容量、持久化数据存储的各类电子系统。

• 制造商产品型号：MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：384Gb（48G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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