MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR是美光科技推出的一款384Gb（48GB）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于闪存技术，以8位数据宽度（x8）组织，旨在为数据密集型应用提供高带宽的存储解决方案。
其核心参数表现出色，支持高达333MHz的时钟频率，配合并行接口可实现高速数据传输。工作电压范围覆盖2.5V至3.6V，具备良好的电源适应性。芯片采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业环境。这些特性共同构成了其高密度、高性能存储的核心卖点。
- 型号:MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:384Gb
- 存储器组织:48G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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