MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C是美光科技生产的一款32Gb容量NAND闪存芯片,采用并行接口和4G x 8位的内部架构。该器件基于MLC NAND技术,在2.7V至3.6V的宽电压范围内工作,最高时钟频率为83MHz,能够满足中高速数据存储与读取的需求。
其物理形态为100-VBGA表面贴装封装,具有紧凑的尺寸,适合空间受限的PCB设计。作为非易失性存储器,它可在断电后永久保存数据,主要面向需要大容量、稳定存储的嵌入式系统和消费电子应用,为设备提供可靠的数据存储基础。
- 型号:MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA(12x18)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:4G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA(12x18)
- 想获取MT29F32G08CBCCBH1-12Z:C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料