MT29F2T08EMHBFJ4-T:B TR是美光科技推出的一款2Tb容量NAND闪存芯片，采用TLC技术和并联接口。其核心卖点在于通过高密度存储架构实现了大规模数据存储，同时非易失特性确保了数据的持久保存。
该器件工作电压为1.7V~1.95V，采用132-VBGA封装，表面贴装，适用于0°C至70°C的商业温度环境。其设计兼顾了高数据吞吐能力与系统集成便利性，主要服务于对存储容量和可靠性有严苛要求的应用。
- 制造商产品型号：MT29F2T08EMHBFJ4-T:B TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：FLASH - NAND（TLC）
- 存储容量：2Tb（256G x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：-
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：132-VBGA
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