MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR

MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR是美光科技生产的一款2Tb容量NAND闪存芯片。该器件采用并联接口，支持高达333MHz的时钟频率，能够实现高速数据读写，满足对带宽有较高要求的应用。其存储结构为256G x 8，提供了高密度的非易失性存储解决方案。

芯片的工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容性良好，并能在0°C至70°C的环境温度下稳定工作。作为有源状态的成熟产品，它以卷带形式交付，便于自动化生产。这款大容量、高性能闪存主要面向需要处理海量数据的存储系统和计算平台。

• 制造商产品型号：MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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