MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B

MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B是美光科技生产的一款2Tb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术，核心架构为闪存 - NAND，以256G x 8的组织形式提供海量数据存储空间。

该器件支持高达267MHz的时钟频率，通过并联接口实现高速数据传输。其工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，确保了在广泛应用环境中的兼容性与可靠性。这些参数共同构成了其高密度、高性能存储解决方案的核心卖点。

• 制造商产品型号：MT29F2T08CUCBBK9-37ES:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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