MT29F2G16ABBEAH4:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量并行NAND闪存芯片，采用128M x 16位的架构。它基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后不会丢失，其并联接口设计便于实现高效的数据传输。
该器件支持1.7V至1.95V的宽电压供电，具备低功耗特性，工作温度范围为0°C至70°C。它采用63-VFBGA表面贴装封装，以卷带或剪切带形式供货，适合自动化贴装生产。这些核心参数使其成为对存储可靠性、功耗和空间有要求的嵌入式系统的合适选择。
- 型号:MT29F2G16ABBEAH4:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F2G16ABBEAH4:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
