MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR是美光科技推出的一款2Gb（128M x 16）并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA封装和卷带包装。该器件基于非易失性闪存技术，核心卖点在于其通过了AEC-Q100认证，属于Automotive系列，具备在-40°C至105°C宽温范围内稳定工作的能力，专为应对严苛环境而设计。
其1.7V至1.95V的低电压供电范围有助于降低系统整体功耗，而并行接口则提供了高效的数据传输通道。这些特性使其成为汽车电子、工业控制以及其他高可靠性嵌入式系统中，用于程序代码、配置参数或数据日志存储的理想选择。
- 型号:MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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