MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR是美光科技生产的一款大容量、高性能NAND闪存芯片。该器件提供高达384Gb（48GB）的非易失性存储容量，采用8位并联接口，并支持高达267MHz的时钟频率，旨在实现高速数据读写与传输，满足对带宽和存储空间要求严苛的应用需求。
其工作电压为2.7V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业及工业环境。该芯片基于成熟的闪存-NAND技术，尽管目前已停产，但其规格参数仍代表了其在海量数据存储解决方案中的核心价值，适用于需要可靠、高速存储介质的各类电子系统。
- 型号:MT29F384G08EBCBBJ4-37:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:384Gb
- 存储器组织:48G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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