MT29F2G16ABBEAH4:E是美光科技生产的一款2Gb（128M x 16位组织）并行接口NAND闪存芯片。它采用1.7V至1.95V的低电压供电，具备非易失性数据存储能力，适用于商业温度范围（0°C至70°C）内的各种应用。
该芯片采用63-VFBGA封装，支持表面贴装，其并行接口架构便于实现高速数据读写。作为一款成熟的闪存解决方案，它为核心代码存储、数据记录及系统参数保存等需求提供了可靠的存储基础。
- 型号:MT29F2G16ABBEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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