MT29F2G08ABDHC:D TR

MT29F2G08ABDHC:D TR是美光科技推出的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和256M x 8位的架构。其核心优势在于1.7V至1.95V的低电压工作范围，有助于降低系统整体功耗，并采用63-VFBGA封装，适合空间受限的表面贴装应用。

该芯片作为非易失性存储器，提供了可靠的数据存储解决方案，工作温度范围为0°C至70°C，适用于常见的商业环境。其并行接口设计便于与多种微控制器或处理器直接连接，简化了硬件设计。需要注意的是，此型号目前已停产，建议在相关项目中评估替代方案或通过授权渠道获取库存。

• 型号:MT29F2G08ABDHC:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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