MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和256M x 8的存储结构。该器件基于非易失性闪存技术，可在1.7V至1.95V的低电压下工作，有效帮助系统降低功耗。

芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，支持-40°C至85°C的工业级宽温范围，确保了在恶劣环境下的可靠运行。其卷带（TR）包装形式适配于自动化贴装生产，主要面向需要稳定、大容量嵌入式存储的工业控制、汽车电子及网络设备等应用领域。

• 制造商产品型号：MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Gb（256M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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