MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR

MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR是美光科技（Micron Technology）生产的一款2Gb（256M x 8）容量、采用并联接口的SLC NAND闪存芯片。该器件采用63-VFBGA封装，以卷带（TR）形式供货，工作电压范围为2.7V至3.6V。

其核心卖点在于通过了AEC-Q100认证，具备汽车级可靠性，支持-40°C至105°C的宽工作温度范围。基于SLC NAND技术，它在数据耐久性、读写性能及长期数据保持方面表现突出，专为要求高可靠性和稳定性的严苛应用环境而设计。

• 制造商产品型号：MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量：2Gb（256M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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