MT29F2G08ABAEAH4:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口（256M x 8组织架构）和63-VFBGA封装。该器件属于非易失性存储器，能够在断电后永久保存数据，其2.7V至3.6V的宽工作电压范围增强了系统设计的电源兼容性。
该芯片提供了一种高性价比的大容量存储解决方案，适用于需要通过并行总线进行快速数据读写的嵌入式系统。其表面贴装型设计和0°C至70°C的商业温度范围，使其能够广泛应用于消费电子、网络通讯及工业控制等领域，满足固件存储、数据缓冲等应用需求。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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