MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR

MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和MLC技术。其核心卖点在于提供了32G x 8位组织架构的高密度存储解决方案，工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持高达100MHz的时钟频率，确保了高速数据传输能力。

该芯片采用48-TSOP表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，具备非易失性存储特性。这些参数使其成为需要大容量、可靠非易失性存储且对空间和功耗有要求的应用的理想选择，为系统设计提供了稳定的基础存储单元。

• 制造商产品型号：MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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