MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B 是美光科技生产的一款大容量NAND闪存芯片，提供1.5Tb（192GB）的存储空间，采用192G x 8位的内部架构和并联接口，旨在实现高速数据吞吐。其工作电压范围为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度适应商业级标准（0°C至70°C）。
该芯片的核心优势在于其极高的存储密度和并行数据传输能力，适合作为需要处理海量数据的存储系统的核心组件。作为非易失性存储器，它能确保数据在断电后持久保存。需要注意的是，该器件目前已处于停产状态，主要服务于现有产品线的延续或特定项目需求。
- 型号:MT29E1HT08EMHBBJ4-3:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.5Tb
- 存储器组织:192G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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